Окончил Висконсинский университет (1928), получил степень доктора философии в Принстонском университете (1936). Работал в Гарвардском (1935–1938) и Миннесотском (1938–1941) университетах, в лабораториях компании «Белл-телефон» (1945–1951); с 1951 – профессор Иллинойсского университета. Основные работы посвящены физике твердого тела и физике низких температур. В 1948 открыл транзисторный эффект и создал первый полупроводниковый транзистор, что привело к возникновению новой научно-технической дисциплины – микроэлектроники.
Биография
День рождения: 23.05.1908 года
Место рождения: Мэдисон штат Висконсин, США
Дата смерти: 30.01.1991 года
Место смерти: Бостон, США
Гражданство: СШААмериканский физик, первый ученый, дважды удостоенный Нобелевской премии за достижения в одной и той же области науки: в 1956 совместно с У.Шокли и У.Браттейном за изобретение транзистора и в 1972 совместно с Л.Купером и Дж.Шриффером за создание теории сверхпроводимости. Родился Бардин 23 мая 1908 в Мэдисоне (шт. Висконсин). В 1950 (независимо от У.Шокли) предсказал притяжение между электронами благодаря обмену виртуальными фононами и в 1952 попытался вычислить его величину. В 1957 создал теорию сверхпроводимости (теория Бардина – Купера – Шриффера) – способности некоторых материалов утрачивать сопротивление при очень низких температурах. В ее основе лежало представление о так называемом электронно-фононном взаимодействии. Эта теория стимулировала теоретические и экспериментальные исследования в области сверхтекучести, ядерной физики и астрофизики.
Бардин был награжден медалью Ф.Лондона (1962), Национальной медалью за научные исследования (1965) и др. Умер Бардин в Бостоне 30 января 1991.